75年前的黑科技：为了给海军防空 他顺手发明了现代DRAM的始祖

快科技5月20日消息，75年前的5月，麻省理工学院电机工程师杰·福里斯特提交了巧合电流磁芯内存的专利申请。该技术是首个具备实用价值的随机存取内存技术，并在随后的20年里成为计算机领域的主流内存技术。

这项技术的诞生源于军事需求。杰·福里斯特当时主持麻省理工学院的旋风项目，负责为美国海军开发实时防空系统。

由于当时主流的真空管内存极不稳定且维护成本高昂，根本无法满足实时计算的高可靠性要求，这促使他打破传统思维进行研发。

磁芯内存的核心工作原理是利用材料的磁滞现象。该结构由细小的铁氧体磁环与铜线网格组成，每个磁芯通过被磁化为顺时针或逆时针方向，分别代表二进制中的1与0。

杰·福里斯特在磁芯中穿过驱动线与感应线等多条导线，利用巧合电流技术精准对特定行列的磁芯进行写入和读取，彻底解决了早期电子管内存易损坏和不稳定的缺陷。

该技术在航天领域后来被应用在美航局的阿波罗导航计算机中。因为太空环境存在强辐射，磁芯内存凭借极高的抗辐射性和可靠性确保了登月任务安全运行。

当时这些微小磁芯完全由女性员工在显微镜下用针线逐一穿孔编织而成，也被称为老婆婆内存。

该专利于1951年提出申请，美国专利及商标局历时五年审核，于1956年2月正式核准，专利号为2736880。

随后科技巨头IBM曾耗费数年时间挑战该专利的有效性。为此，麻省理工学院档案馆通过追溯采购订单、核查电话账单、差旅凭证和实验室日志，最终在司法调查中成功证实了杰·福里斯特的发明优先权。

双方的专利争端持续到1964年2月，IBM最终妥协并向麻省理工学院支付了1300万美元（约合9412万元人民币）的和解金。

杰·福里斯特此后在麻省理工学院任教至退休，于2016年11月16日逝世。磁芯内存则在20世纪70年代中期半导体DRAM芯片问世后被取代，逐步退出了历史舞台。